設備定義與核心功能

氣氛燒結爐是通過精確控制溫度、氣氛環(huán)境（如惰性氣體、還原性氣體或真空）與壓力參數(shù)，實現(xiàn)材料在特定氣體環(huán)境下完成燒結工藝的專用設備。其核心功能包括：

氣氛控制：支持氮氣、氬氣、氫氣、氧氣等單一或混合氣體環(huán)境，氧濃度控制精度可達±0.1vol%，滿足材料還原、氧化、硫化等處理需求。

溫度控制：采用PID智能溫控算法與多段程序控溫技術，溫度均勻性±10℃，支持0-20℃/min連續(xù)可調的升溫速率。

壓力調節(jié)：極限真空度優(yōu)于6×10?3Pa，正壓穩(wěn)定性±0.2kPa，有效防止外部空氣滲入。

材料適應性：可處理金屬粉末、陶瓷、硬質合金、生物陶瓷、人工晶體等材料，支持燒結、熔煉、熱處理等多種工藝。

二、技術參數(shù)與性能指標

參數(shù)類別典型值應用場景

最高工作溫度1750℃（部分型號可達2000℃）高溫合金、陶瓷燒結

爐膛容積2L-200L（系列化規(guī)格）實驗室小試到工業(yè)量產

加熱元件硅碳棒、硅鉬棒、感應加熱系統(tǒng)不同溫度段需求

溫控精度±1℃（均勻性±5℃）精密材料制備

氣氛純度控制≤0.5ppm誤差半導體材料、光學玻璃燒結

冷卻系統(tǒng)雙回路風冷+水冷快速降溫至300℃（縮短40%時間）

電氣配置220V/380V雙電壓，最大功率24kW適應不同實驗室條件

三、典型應用場景

靶材制備

案例：ITO透明導電薄膜燒結

工藝：采用變頻高壓技術，在氮氣保護下實現(xiàn)高致密化燒結，產品透光率≥90%，方阻≤10Ω/□。

優(yōu)勢：氣氛控制避免氧化，均勻性提升15%，晶粒尺寸可控。

航空航天材料

案例：高溫合金梯度冷卻處理

工藝：三段式淬火結構，結合氬氣保護，實現(xiàn)從1200℃到室溫的分級冷卻。

效果：晶粒尺寸均勻性提升15%，抗疲勞性能提高20%。

電子陶瓷元件

案例：氮化鋁陶瓷基板燒結

工藝：氮氣保護下1800℃燒結，保溫4小時。

結果：產品擊穿電壓≥20kV/mm，熱導率≥170W/(m·K)。

新能源材料

案例：鋰離子電池正極材料預燒

工藝：氧氣氣氛下750℃燒結，控制氧分壓避免Li揮發(fā)。

優(yōu)勢：容量保持率提升8%，循環(huán)壽命延長30%。